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IPB35N10S3L-26现货价格
IPB35N10S3L-26现货价格
产品分类
半导体与光电子
分立式半导体
晶体管
MOSFET
IPB35N10S3L-26
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
IPB35N10S3L-26
产品描述
MOSFET MOSFET
内部编号
173-IPB35N10S3L-26
生产厂商
Infineon Technologies
库存信息
产品规格
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订购说明
#1
数量:572
1+
¥5.9488
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¥4.8137
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¥3.2684
1000+
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2000+
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IPB35N10S3L-26产品详细规格
规格书
P( TOT )
71W
匹配代码
IPB35N10S3L-26
安装
SMD
R( THJC )
2.1K/W
LogicLevel
NO
包装
TO263-3
单位包
1000
标准的提前期
17 weeks
最小起订量
1000
Q(克)
30nC
LLRDS (上)
0.0203Ohm
汽车
AEC-Q(101)
LLRDS (上)在
10V
我(D )
35A
V( DS )
100V
技术
OptiMOS T
的RDS(on ) at10V
0.0203Ohm
无铅Defin
RoHS-conform
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
N-Channel
源极击穿电压
20 V
连续漏极电流
35 A
系列
IPB35N10
RDS(ON)
26.3 mOhms
封装
Reel
功率耗散
71 W
下降时间
3 ns
最低工作温度
- 55 C
封装/外壳
TO-263
典型关闭延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB35N10S3L26ATMA1 SP000776044
上升时间
4 ns
最高工作温度
+ 175 C
漏源击穿电压
100 V
RoHS
RoHS Compliant
栅极电荷Qg
30 nC
IPB35N10S3L-26系列产品
型号
厂家
产品描述
IPB35N10S3L26ATMA1
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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