1. IPB35N10S3L-26
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPB35N10S3L-26 

产品描述

MOSFET MOSFET

内部编号

173-IPB35N10S3L-26

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:572
1+¥5.9488
10+¥4.8137
100+¥3.6992
500+¥3.2684
1000+¥2.5778
2000+¥2.2906
10000+¥2.1949
25000+¥2.0581
最小起订量:1
美国加州
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IPB35N10S3L-26产品详细规格

规格书 IPB35N10S3L-26 datasheet 规格书
P( TOT ) 71W
匹配代码 IPB35N10S3L-26
安装 SMD
R( THJC ) 2.1K/W
LogicLevel NO
包装 TO263-3
单位包 1000
标准的提前期 17 weeks
最小起订量 1000
Q(克) 30nC
LLRDS (上) 0.0203Ohm
汽车 AEC-Q(101)
LLRDS (上)在 10V
我(D ) 35A
V( DS ) 100V
技术 OptiMOS T
的RDS(on ) at10V 0.0203Ohm
无铅Defin RoHS-conform
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 35 A
系列 IPB35N10
RDS(ON) 26.3 mOhms
封装 Reel
功率耗散 71 W
下降时间 3 ns
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-263
典型关闭延迟时间 18 ns
零件号别名 IPB35N10S3L26ATMA1 SP000776044
上升时间 4 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 100 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 30 nC

IPB35N10S3L-26系列产品

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